CXMT, 4F² D램 기술 공개로 중국의 반도체 우회로 제시
중국 기업이 차세대 메모리 기술을 제시하며 미국 제재 환경에서의 기술적 대안을 모색하는 움직임이 포착되었습니다.
요약
글로벌 메모리 반도체 주가 조정 속에서 중국의 CXMT가 주목받고 있습니다. CXMT는 4F² 구조의 차세대 D램 기술을 공개했습니다. 이 기술은 메모리 셀 면적을 줄이는 수직 게이트(VSG) 방식을 핵심으로 하며, 첨단 EUV 장비 없이도 집적도 향상이 가능하여 미국 제재를 우회하는 대안으로 해석됩니다.
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원문 제목 CXMT의 4F2 D램 도전, 중국은 어떻게 보나
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